脱离金属离子精馏塔是专为电子级湿化学品、半导体特气、高纯前驱体等对金属离子有要求的物料设计的专用精馏设备，核心通过全流程无金属接触的材质选型、结构设计与工艺优化，从源头杜绝金属离子的溶出、夹带与污染，实现金属杂质含量降至ppt 级甚至亚 ppt 级，满足 7N~11N 级半导体材料的纯化需求，是芯片制造、化合物半导体生产中超高纯物料制备的核心装备。
一、核心设计理念：从源头斩断金属离子污染
传统精馏塔因接触物料部分采用金属材质（即便为 316L 不锈钢），仍会存在微量金属离子溶出，且金属表面的吸附与解析会造成二次污染，无法满足半导体 ppt 级的金属离子管控要求。脱离金属离子精馏塔的设计核心围绕 **“全流程无金属接触"** 展开，摒弃所有金属材质与金属连接件，通过高纯非金属材质的选型、无缝结构设计、惰性氛围保护，消除金属离子污染的所有可能环节，实现 “零金属溶出、零金属夹带"。
二、核心性能指标：适配半导体超纯要求
脱离金属离子精馏塔的性能指标远高于普通工业精馏塔，核心围绕金属离子含量、纯度等级、杂质脱除率展开，满足 SEMI C12/C18 等电子级材料标准：
金属离子含量：单种金属离子含量≤0.1ppt，总金属离子含量≤1ppt，无重金属（Fe、Cu、Ni、Cr）、半导体有害金属（B、P、As、Sb）溶出；
物料纯度：塔顶产品纯度可达 7N~11N（99.99999%~99.999999999%）；
杂质脱除率：水分脱除率≥99.999%，有机物杂质（TOC）脱除至≤10ppb，固体颗粒≤0.01μm（颗粒数≤1 个 /mL）；
操作稳定性：连续运行≥800h 无材质老化、无密封泄漏，产品纯度波动≤±0.00001%；
无二次污染：全程无金属接触、无溶出、无吸附，物料与材质无任何化学反应。
三、适用场景：聚焦半导体超高纯物料纯化
脱离金属离子精馏塔因材质耐温、耐压特性，主要适用于中低沸点、无强腐蚀性的半导体超高纯物料的纯化，是芯片制造、化合物半导体、微电子器件生产中核心物料的专用纯化装备，典型应用场景如下：
电子级高纯溶剂：异丙醇（IPA）、无水乙醇、丙酮、PGMEA、NMP 等，用于晶圆清洗、光刻胶剥离，要求金属离子 ppt 级；
半导体高纯试剂：高纯氨水、高纯盐酸（低硼）、等湿化学品，用于晶圆刻蚀、清洗；
高纯电子特气：硅烷（SiH₄）、磷烷（PH₃）、砷烷（AsH₃）等轻烃类特气，低沸点前驱体纯化；
化合物半导体原料：三甲基镓（TMGa）、三甲基铟（TMIn）等 MO 源前驱体（热敏性物料），真空减压下无金属纯化；
实验室超高纯试剂：ICP-MS/HPLC 等分析测试用空白试剂、标样溶剂，要求无金属离子干扰。
